2” GaN衬底

氮化镓(GaN)晶片作为第三代半导体产业发展的关键材料，是未来新一代光电子、功率电子和高频微电子器件的关键支撑材料，在节能照明、平板显示、激光投影显示、智能电网、物联网等产业领域具有广阔的应用前景。 中科院纳米所以具有自主知识产权的氢化物气相外延设备(HVPE)为基础，突破了氮化镓晶片制备的系列关键难题，实现了氮化镓厚膜晶片和氮化镓自支撑晶片的产业化。  HVPE是目前的主流技术方法，国际上主要有美国、日本、法国、中国用HVPE技术制备GaN衬底，是目前唯一商业化生产的方法。