新型高档光刻胶的研发

技术特点：极紫外光刻胶材料是下一代超高精细光刻的首选技术，是超高精细光刻胶为关键瓶颈技术之一，需高真空条件使用，性能特殊，材料结构需求特殊，也可以应用于其它超高精细光刻技术中。主要指标：在实验室研发的新型用于极紫外光刻(EUVL)用的光刻胶，经过初步光刻实验，可以得到分辨率为16-32nm的光刻线条，并且线边粗糙度很小。应用状况：在2013年SPIE Advanced Lithography Symposium会上受到境外机构的广泛关注，已获得瑞士PSI光源光刻检测机时。