|
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法1279次阅读 2014-11-06
一种碳化硅/二氧化硅同轴纳米电缆的制备方法 成果简介： 本发明涉及一种同轴纳米电缆的制备方法领域，具体为碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆的制备方法领域。本发明中碳化硅/二氧化硅（内芯/外层）同轴纳米电缆的制备方法如下：将硅油、硅脂或硅氧烷置于刚玉坩埚或刚玉舟内，将刚玉坩埚或刚玉舟放在耐高温板上面，然后把耐高温板推入高温炉，排出炉内氧气，并以6－15sccm的速率通入惰性气体保护，以5－15℃/min的速度将炉温升到1000－1100℃，保温1－5小时后自然降到室温。利用本发明所"
企业信息
|
