氮化镓功率器件的研究与应用

研发截面为蜂窝状的 nPSS，该设计在尽量提高柱状占空比的前提下，柱间间隙最大化，能在提高 GaN 外延晶体质量的同时，拓宽外延生长的工艺窗口，进而提高产品的良率和可靠性。技术难点在于将器件缺陷密度降低到 107/cm²。倒装芯片技术是一种将芯片与基板相互连接的先进封装技术，在封装的过程中，芯片会被翻转过来，让芯片与基板相互连接，使用倒装芯片技术可降低芯片与基板间的电子信号传输距离，适用在高速器件的封装，也可缩小芯片封装后的尺寸。技术难点在于将倒装芯片技术与 GaN 芯片整合起来，从而大幅度提高器件的各项性能。