半导体设备蒸发台、溅射台的研发

计划对接完成国产半导体设备的研发、式样及批量生产，如国产半导体设备蒸发台、溅射台的研发等；最终达到市场领先的技术水平，匹配国内大中型半导体产线的需求。要求电子束蒸发工艺参数：蒸发速率为20-25A/s；蒸发时间为25min；磁控溅射工艺参数：溅射速率为8000A/min；溅射时间为2min/片。