半导体外延材料技术

我所在III-V化合物半导体金属有机化学气相沉积（MOCVD）外延生长技术、相关的III-V化合物半导体材料检测分析，以及用于外延片质量验证的分立器件电学特性分析等技术上存在技术需求，要达到的技术指标：1.面缺陷密度≤50cm¯²；2.雾状缺陷≤10ppm；3.Doping：（5.0±0.5）E+16cm¯³；4.层电阻：410±30Ohm/sq.；5.霍尔迁移率≥5000cm²/V·s。