高功率激光器芯片

2018年，中兴事件和中美贸易冲突为国内高新科技产业敲响一记警钟，激光行业内很多企业也将目光转向国产激光芯片，国产芯片市场份额得到很大提升。但由于我国激光芯片发展起步晚，基础较为薄弱，公司拟对高功率激光器芯片方向进行研发突破，需要该方面的专家或研发团队进行相关技术交流，提供必要的技术服务，对研发过程中的项目难点进行突破。要求芯片发光区宽度为90－180μm，输出功率可达14W－20W，半峰宽小于4nm，转换效率达65％。