多功能高压MOSFET集成隔离技术

多功能高压MOSFET集成隔离技术：在高压MOSFET工艺中，创新的集成多器件、多电压，且源极非等电位的隔离技术，解决源极之间穿通的关键问题。需提高技术指标：150℃下高温漏电小于10uA，抗雷击浪涌指标达到4000V以上，启动MOSFET与主MOSFET源端隔离耐压＞30V，优化结构设计，提高集成器件之间的隔离技术，提高隔离耐压至30V。