半导体光刻掩膜版关键技术研发

现状：
半导体光刻掩膜版国产化率不足10%，长期受到美日韩等国所垄断，国内产业链割据分散，随着国内半导体产业的大力发展，掩膜版国产化取代进口已成为当下解决卡脖子技术的关键。

需解决问题：
1、大尺寸抗翘曲抗划痕掩膜版的制备；2、掩膜版掩膜层填埋技术的研发；3、掩膜版掩膜面超疏水结构的开发；5、纳米压印制版技术的开发；6、Mico-UV LED图像化直显掩膜版技术的开发。

达到的指标：
1、掩膜版紫外光透过率达到90%以上；2、掩膜版使用寿命大于等于3000次；3、制备12英寸以上的掩膜版，掩膜版厚度最小达到500um以下，翘曲最小值达到15um以下；4、利用纳米压印技术制备出纳米级线宽掩膜版；5、制备出具有直显功能的Mico-UV LED图像化直显掩膜。
预期成果：申请发明专利10件，申请并授权实用新型专利8件，制定技术标准1项，发表论文3篇，申请新产品2个，建新装置1个。