应用于高带宽的太赫兹时域光谱系统发射器和探测器的光导芯片的材料与制备技术

现状：
当前的太赫兹光谱技术主要用低温生长砷化镓材料等作 为光导发射天线与探测芯片，材料的特性导致无法得到高带宽的太赫兹信号，同时，目前最佳的太赫兹发射芯片材料与最佳的探测材料是不同的，这会导致光学信号的复杂以及影响性能。高带宽的太赫兹光谱系统将大大拓展太赫兹技术的应用领域和产业化潜力，因此急需探索可同时应用于高带宽太赫兹系统作发射器与探测器的光导芯片材料。

需解决问题：
找到高带宽的，可同时作为太赫兹时域光谱系统的发射器与探测器的芯片的材料与制备工艺


达到的指标：
带宽>=6THz
动态峰值范围：95dB