大功率快恢复模块芯片研发

现状：
传统的高压大功率快恢复二极管(模块)几乎都是用单芯片制造的,其管芯面积大,制造工艺复杂,对工艺水平要求很高,成品率低,制造成本高；其结果必然是价格昂贵,不利于普及和推广，目前公司需要从电参数设计、结构设计、可靠性设计、工艺设计来制造高压大功率快恢复二极管(模块),从而降低制造成本高效运行。

需解决问题：
大功率快恢复模块芯片研发

达到的指标：
通过调整铂扩散的时间和温度达到有效控制反向恢复时间 trr 的目的，使 trr 控制在 25ns 到 500ns 之间；其次，从减小器件反向漏电流 IR 方面着手，对 LPCVD沉积掺氧半绝缘多晶硅薄膜系统进行了优化，使器件的反向漏电流 IR 控制在纳安级；再次，对玻璃钝化工艺进行了优化，有效解决了掺氧半绝缘多晶硅薄膜与玻璃钝化层之间的气泡问题；最后，从改善 trr 的均匀性与稳定性入手，通过分组实验不同型号的玻璃粉,最终选定更适合的玻璃粉配套快恢复二极管钝化工艺材料。