化学气相沉积（CVD）改良

现状：
CVD技术在复杂形状基底上生长薄膜，保形性好、纯度高，成分结构可控，是芯片制造、光伏电池等领域的关键技术。随着器件微型化、性能极致化，现有CVD技术需突破，以满足纳米级芯片制程、太阳能电池高效转化等更严苛工艺与性能指标。

需解决问题：
CVD 工艺涉及多个反应参数，如温度、压力、气体流量和反应时间等。这些参数的微小变化可能会对薄膜的生长速度、成分和质量产生显著影响。

达到的指标：
研发复合前驱体TEOS混少量有机硅烷，借有机成分调膜层柔韧性、附着力，配合微流量泵精准输送前驱体。实现沉积速率 1 - 10nm/min 精准控制。保障膜层生长稳定、光学性能达标，全程自动化减少人为误差，提升工艺重复性与稳定性。