半导体用高品质合金溅射靶材关键技术研发

现状：
以半导体用高品质合金溅射靶材关键技术研发为攻关任务

需解决问题：
针对靶材杂质与气体含量高、烧结工艺存在缺陷、微量元素难以控制等问题，重点攻克靶材纯度与气体含量优化、合金靶材微纳结构调控致密化技术、多物理场协同精密烧结技术、非平衡态相变控制的精密退火技术四大关键核心技术。

达到的指标：
突破制备高致密度、晶粒尺寸细小、富钛相低、微观组织均一的高品质合金溅射靶材。